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MBE生长高功率980nm应变量子阱激光器

成果简介:采用MBE外延生长技术研制出准连续型高功率二极管激光器实用化样管,采用InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变量子阱线性缓变折射率波导结构,利用MBE材料生长技术研制出一种准连续型半导体激光器。主要应用在泵浦固体激光器、红外照明、医疗等很多领域。
主要技术指标:
•激光器输出功率20W(占空比6%)
•阈值电流密度230A/cm2
•斜率效率1.02W/A
•激射波长977.1nm
•串联电阻0.08。
性能与特点:980nm半导体激光器采用InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变量子阱线性缓变折射率波导结构,具有更高的光学灾变损伤阈值,更低阈值电流密度等优点。实现了线列阵20W高功率输出。
应用范围:980nm应变量子阱激光器在泵浦固体激光器、红外照明、医疗等很多领域都有着广阔的应用前景。

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